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拓荆科技:致力于研发世界领先的半导体薄膜设
浏览: 发布日期:2020-06-04

4月2日,《中国工业报》记者走进位于浑南区水甲900号的沈阳拓景科技有限公司新厂区,厂区内有宽敞明亮的现代化办公楼和先进整洁的厂房,总建筑面积4.2万平方米。1000级和100级是10级无尘室和10多台高端测试设备,用于开发先进的半导体薄膜设备。

沈阳拓景科技有限公司副总经理孙立杰在接受《中国工业报》采访时表示,拓景作为承担过两项国家重大科技项目的高科技企业,在过去的10年里先后引进了10多名海外专家。目前,公司拥有280多名员工,其中40%是硕士,92%是本科生或以上。

在人才矩阵的大力支持下,拓景不断推出创新产品,填补国内空白。现已发展成为国内大型集成电路行业专业薄膜设备的龙头企业。集成电路工业的发展符合摩尔定律。产品性能每18个月翻一番,成本节省一半。薄膜设备是集成电路的四大核心设备之一,设备需求占生产线的20%。核心技术是使用等离子体增强化学气相沉积在硅片上“生长”固体薄膜层。成膜速度和质量直接影响芯片的生产率和成品率。拓晶公司一直致力于集成电路高端薄膜设备的创新。围绕这一技术产品,先后两次承担国家02重大科技项目。现已形成12英寸PECVD、ALD和3D NAND PECVD三大产品,广泛应用于集成电路、3D-TSV、光波导、发光二极管、3D-NAND闪存和OLED显示器等高端技术领域。

拓荆科技:致力于研发世界领先的半导体薄膜设备

12英寸PECVD设备的R&D及应用填补国内空白

孙立杰表示,2008年,拓京公司的12英寸PECVD设备被批准为国家“十一五”02重大项目。2016年,沈阳京拓科技承担了“十一五”重大科技项目“90-65纳米等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”项目,该项目以93分通过国家专项办公室验收,标志着12英寸等离子体增强化学气相沉积设备在中国的国产化,填补了国内空白,提升了中国集成电路产业的整体竞争力。

中国工业新闻记者在采访中了解到,12英寸PECVD是目前国际上主流的薄膜沉积设备。为了承担国家重大项目,在原中国科学院下属公司PECFD的基础上,2010年4月,海外专家团队与中国科学院下属公司共同成立了国家高新技术企业,专门开发12英寸PECFD设备。在过去的几年中,诸如设备平台设计、薄膜工艺开发和薄膜均匀性控制等关键技术已经相继被克服。产品已通过国内12英寸集成电路生产线的验收。各项指标均达到国际水平,成本为国际设备的70%。产品和服务得到了用户的一致认可。

2018年,拓景在先进技术方面取得突破性进展。ALD设备通过了客户的14纳米工艺验收。第一台硬掩模ACHM机被运送给客户。在市场上,公司的延伸设备已经通过了大规模生产的测试。目前,该设备已应用于集成电路芯片前端制造、TSV后端封装、AMOLED等领域。它已成功进入中国主要的12英寸生产工厂,并在28纳米生产线上实现了大规模生产。到目前为止,拓景公司已销售12英寸等离子体化学气相沉积设备50多台套,在客户生产线上积累了6年多的生产经验,产品件数超过350万件。

世界领先的原子层薄膜沉积设备自主研发world设备

在PECVD设备的基础上,拓晶公司自主开发了原子层薄膜沉积(ALD)设备,在世界上处于领先地位。该设备具有完全的自主知识产权,具有生产率、颗粒控制、均匀性、步进覆盖率等关键技术指标的优势

2016年,拓景公司被授予新的国家重大项目135.02。该项目重点研发应用于新一代闪存的3D与非门工艺技术和设备,为国家大型存储项目提供专业支持,实现产业化,使中国薄膜设备的研发和制造达到国际前沿水平。2017年,第一个大规模生产的3D与非门PECVD交付给客户。目前,托晶公司的高产量产样机已经在客户处得到验证。

国际一流专家团队产品拥有100%自主知识产权

拓景拥有国际一流的专家团队,目前拥有10多名海外专家,直接为公司注入了符合国际标准的高科技企业管理模式。公司技术产品拥有100%的自主知识产权,并申请了360多项专利,填补了国内许多空白。2017年,公司被授予国家知识产权优势企业。

拓景注重人才的本土化,把培养中国一流的专业人才作为自己的使命之一。一方面,公司每年从哈尔滨工业大学、东北大学等高等院校招收本科生和研究生,有计划地安排各种培训和实际工作,培养员工的创新能力、专业研发能力和独立责任能力,使人才得到全面发展。同时,公司不断聘请国内外先进企业和国际顶尖高等院校的专家开展技术交流,提高国内研发人员的能力。另一方面,积极吸引国外半导体行业的高级技术专家来华,以海外专家为各行业的领军人物,有效提升了国内人才的技术能力,培养了一批优秀的国内集成电路专业人才,极大地促进了辽沈地区乃至全国集成电路装备行业的发展。